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4대 장비사 분기별 톤 및 수요 분석 * CY26 수요 과잉 상태 대비 집행 속도 제약(클린룸, 공급망, 인력, 고객 Fab readiness) 직면 * 수요 부족이 아닌 투자 페이싱 이슈 * Lam, TEL, AMAT 클린룸 공간 제약 반복 언급 * ASML 고객 Fab 준비 및 수용 속도, 분기별 move rate 변수 지목 * 전반적 CY26 실적 2H-weighted 기조 형성 메모리 부문 * ASML: DRAM(HBM, 1B/1C) 중심 EUV layer 채택 확대 및 멀티패터닝 DUV 대비 싱글 EUV 전환 가속 * LRCX: 메모리 내 우선순위 DRAM(HBM 포함) > NAND 명시 및 HBM3E에서 HBM4 전환, 1B/1C 노드 전환에 따른 장비 콘텐츠 증가 * AMAT: HBM의 bit당 wafer starts 표준 DRAM 대비 3~4배 수준 공격적 제시 기반 장비 수요 구조적 강화 * TEL: DRAM CY26 YoY 20% 이상 성장 및 sharp increase 전망 * NAND: CY26 MSD 성장(AMAT) 또는 Flat에서 소폭 증가(TEL) 수준으로 WFE 내 비중 LTD 미만 소외 및 업그레이드 중심 후행 투자 비메모리 부문 * ASML: AI 가속기 4nm에서 3nm 이동에 따른 litho intensity 상승 및 2nm/A14 EUV layer 지속 확대 * LRCX: Foundry 비중 급증 및 GAA 전환, 식각 난이도 증가 기반 선단 로직 강세 지속 * AMAT: Leading-edge logic + GAA + Wiring/Backside Power 최우선 성장축 선언 * TEL: 4Q Logic/Foundry 출하 QoQ 30% 이상 성장 및 2nm/1.4nm scaling 기반 WFE 견인 * High-NA EUV 본격 발주 시점은 CY27 H2 무게중심 이동 CY26 반도체 장비 시장 결론 * HBM/선단 DRAM: 장비 사이클 1번 엔진 역할 및 리소/식각/증착/패키징 전 영역 공통 수혜 * NAND: 업그레이드 중심 후행 성장 및 클린룸 제약에 따른 투자 순위 밀림 * 비메모리: 선단 로직/파운드리 강세 지속 및 페이싱 이슈 기반 하반기 가중