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[단독] 삼성전자, HBM5 비밀병기 'B1b' 칩 개발 착수 D1c로 HBM4 개발 경쟁 역전한 삼성, 이번엔 HBM5向 'B1b' '밑그림' 거쳐 개발 단계 시작…'하이브리드 본딩' 새 국면 돌입 삼성전자가 8세대 고대역폭메모리 HBM5에 탑재할 'B1b' 메모리 칩 개발에 나선다. HBM4(6세대)용 'D1c(1c D램)' 개발로 기선을 잡은 데 이어 새 비밀 병기를 앞세워 차세대 HBM 주도권을 이어간다는 전략이다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 조만간 HBM5용 코어 다이 B1b 개발에 본격적으로 뛰어든다. 10나노급 5세대 D램인 'D1b'를 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술로 재탄생시키는 칩이다. 삼성전자는 내부 구상을 마치고 이달 초중순 본격 개발에 착수한다. 양산 단계 연구개발(R&D)은 내년에 시작될 것으로 알려졌다. HBM5용으로 개발이 진행될 B1b는 D1b 칩을 기반으로 하이브리드 본딩 기술이 적용된다. 현행 D램은 집적도를 높이기 위해 하부인 트랜지스터(스위치)에 상부인 커패시터(전하 저장)를 쌓는 '스택(Stack)' 구조를 갖추고 있다. https://www.ajunews.com/view/20260308141435169#_enliple