Post #3672

먼저 황 부사장은 차세대 HBM에 적용되는 공정 기술을 묻는 기자의 질문에 “HBM5의 코어 다이는 1c(10나노급 6세대)를 쓰지만 베이스 다이는 삼성 파운드리의 2나노 공정을 활용해 개발 중”이라고 말했다. 6세대 HBM4부터 도입한 1c 공정을 계속 유지하되 베이스 다이는 지금보다 앞선 2나노를 적용하겠다는 계획이다. HBM4 -> 1c + SF4 HBM4E -> 1c + SF4 HBM5 -> 1c + SF2 HBM5E -> 1d + SF2 https://n.news.naver.com/article/016/0002614707?sid=101