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삼성, 8나노 M램 첫 개발…‘꿈의 메모리’ 주도권 선점 (서울경제) 16일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부 연구진이 최근 세계 최고 권위의 반도체 학회 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2026’에서 8㎚(나노미터·10억분의 1m) 핀펫(FinFET) 공정을 적용한 내장형 자기저항메모리(M램) 구현에 성공하고 양산 수율을 달성했다고 밝혔다. 8㎚는 현재 업계에서 가장 앞선 M램 공정으로 평가된다. 8㎚ M램을 실제 제조한 뒤 성능을 검증한 연구 성과는 이번이 처음이다. 앞서 삼성전자는 2018년 28㎚ M램을 처음 양산한 후 2024년 14㎚, 올해 8㎚ M램 양산으로 기술을 고도화한다는 목표를 세웠다. 이번에 실제로 8㎚ M램 기술까지 확보하는 데 성공해 내년에는 5㎚ M램 양산 개시를 예정하고 있다. 대만 TSMC도 내년에 5㎚ M램 양산 준비 완료를 계획하고 있어 본격적인 M램 경쟁을 예고했다.