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HBM4 에 대한 여의도의 엉터리 전망에 대해 안녕하세요. 강용운 대표입니다. HBM4의 본더는 거의 윤곽을 드러냈습니다. 첫번째로 저희 회사의 예상대로 하이브리드 본더 대신 TC본더가 쓰입니다. 하이브리드 본더에 관해 많은 애널리스트와 매니저들이 이해 부족으로 굉장히 낙관적입니다만 사실상 수년내 쓰이기 불가능합니다. 방송가에서도 그냥 입에 녹음기를 단 것 마냥 반복합니다. 하이브리드 본더는 두가지 난점이 있습니다. 하나는 먼지 제거인데 이는 여러차례 난도가 높다고 말씀드렸었습니다. 다른 하나는 CMP입니다. 수십나노미터 단위로 디싱을 만들어야 하는데 이건 물리적으로 가공 공차를 넘어서기 때문에 사실상 불가능합니다. 삼성전자 SK하이닉스 각종 부서에서 '다 왔다. 다왔다' 라고 이야기하는데 과장입니다. 좀더 정확하게는 미래를 위한 거짓말입니다. 지금은 안되지만 가능성을 이야기해야 자금이 할당되고 연구가 지속될수 있습니다. 일종의 화이트 거짓말이고 할 수 있죠. 설계와 기획팀의 절박함은 이해할 수 있습니다. 그러나 현장 기술자들은 좌절하고 있으며 엄청난 고민을 하고 있습니다. 아마 2029년 정도 가야 겨우 실마리를 잡을수 있지 않을까 생각합니다. 두번째로 의외로 SK하이닉스가 고전하고 있습니다. ES퀄을 아직 발표하지 않고 있는데 일부 언론에서는 벌써부터 내년초 이야기하고 있습니다. 4월에 샘플을 넣었기 때문에 벌써 나와야 하는데 몇가지 이슈가 있는 것으로 보입니다. 어떤 증권사에서는 데이터 레인지 즉 핀당 대역폭이 10Gbps가 넘는 SK하이닉스가 마이크론보다 우월하다고 주장하고 있습니다. 어드반테스트 등 장비사들의 의견을 반영한 내용으로 보입니다. (어드반테스트 측은 굉장히 낙관적입니다. 유리기판과 HBM관련해서 SK하이닉스가 잘하고 있다고 보고 있고 삼성전자도 1C에서 꽤 잘하고 있다고 내용을 흘리고 있습니다) 증권사 주장의 요지는 이렇습니다. 베이스 다이를 파운드리로 TSMC가 만드는게 D램 공정으로 만드는 것보다 낫기 때문에 이런 성능 차이가 발생한다고 합니다. 그러나 마이크론이 D램 공정으로 베이스다이를 만드는 건 파운드리로 못해서 그렇게 하는게 아닙니다. 더 경제적인 방법이라는게 마이크론의 평가입니다. 더군다나 수치와 실제의 차이도 생각해야 합니다. 데이터레인지(핀당 대역폭)에 핀수를 곱하면 전체 HBM적층 스택의 대역폭이 나옵니다. 그런데 데이터 레인지가 높다고 해서 실제 적층 스택의 대역폭이 보장이 되는게 아닙니다. 실제로는 해봐야 합니다. (여러 현실적 문제 때문입니다) 결과적으로 국내 증권사들은 SK하이닉스의 논리 일방에 너무 휘둘리고있습니다. 세번째로 삼성전자는 물량공세를 펼치고 있고 이에 대해 증권가는 엄청나게 낙관적입니다. 이에 대해 저의 전망은 올해 HBM4 ES퀄의 가능성은 반반입니다. (스택에 도움을 준 여러 관계자들은 올해보다 내년초라고 이야기합니다. 저보다 더 어둡게 봅니다) 한마디로 가봐야 합니다. 삼전은 모든걸 갈아 엎으려고 하고 있습니다. 저는 지난해 최악에서 벗어났다고 보고 좋게 보고 있습니다만 아직 갈길이 멉니다. 요약입니다. 1. 하이브리드 본더 3년안에는 안될 듯 2. SK하이닉스의 HBM 지배력 내년에는 약화될듯. 내년에는 춘추 전국 3. 삼성전자 올해 HBM4 퀄 가능성은 반반. (된다고 하면 물량공세 펼칠 듯)