Post #2609

Группа компания «Элемент» запускает проект по созданию первого полного цикла производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) в России. Он реализуется в Воронежской области на базе Воронежского научно-исследовательского института электронной техники (НИИЭТ) с инвестициями 4,4 млрд рублей. Проект позволит НИИЭТ управлять всем процессом от выращивания эпитаксиальных структур до финальных полупроводниковых изделий. Новое производство выпустит 5,5 тыс. пластин в год, удовлетворяя потребности IT-сектора, энергетики и телекоммуникаций России. Проект поддерживает Кластерная инвестиционная платформа Фонда развития промышленности. Выбор НИИЭТ обусловлен кадрами и технической базой. Подробнее: bbgl.ru/news/23673