Post #11012

Найдены новые материалы, которые позволят вывести производство памяти на новый уровень. Плотность можно сильно увеличить за счет альтермагнетизма пленок диоксида рутения (RuO₂). Посредством новых материалов могут быть устранены тепловые флуктуации, паразитные поля и взаимное влияние битов, что обычно препятствует высокой плотности хранения данных.