Post #11434

Intel представила прототип ZAM — памяти с диагональной (ступенчатой) топологией межсоединений внутри стека кристаллов. В отличие от HBM с вертикальными TSV, соединения прокладываются под углом, что должно снизить электрические потери, уменьшить тепловыделение и повысить эффективность передачи данных. Intel заявляет о потенциальном снижении энергопотребления на 40–50%, упрощении производства и возможности довести объём до 512 ГБ на один стек.