Post #12134

Intel Foundry представила сверхтонкий чиплет на основе нитрида галлия (GaN) толщиной всего 19 мкм на базе стандартных 300-мм кремниевых пластин. Главная особенность разработки заключается в успешном объединении мощных GaN-транзисторов с традиционными цифровыми схемами на одном кристалле. Это позволило создать первые в отрасли монолитные схемы управления, встроенные непосредственно в энергосберегающую микросхему, что устраняет необходимость в отдельных сопутствующих чипах и значительно сокращает потери энергии. Новая технология призвана преодолеть физические пределы кремния, предлагая более высокую плотность мощности и стабильную работу при экстремальных температурах. Благодаря способности GaN эффективно работать на частотах свыше 300 ГГц, чиплеты станут ключевым компонентом для инфраструктуры сетей 5G и 6G, спутниковой связи и радарных систем. В центрах обработки данных разработка позволит размещать компактные стабилизаторы напряжения максимально близко к процессорам, минимизируя потери при передаче питания и упрощая системы охлаждения. Совместимость процесса с существующими 300-мм производственными линиями Intel обеспечит быстрое внедрение технологии в массовые продукты без необходимости инвестиций в новые заводы.