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게시됨 3월 3일
오늘 닉전 하락폭은 과하다고 생각합니다. 그동안 별 부침 없이 많이 올라서 과매도가 나온 것 같네요.
게시됨 3월 3일
이에 SK하이닉스는 새로운 패키징 공법으로 새로운 비책을 마련하고 있는 것으로 파악됐다. 핵심은 ▲코어 다이 두께 향상, 그리고 ▲D램 간 간격(Gap) 축소다. 관건은 구현 난이도다. D램 간 간격이 줄어들면 MUF(몰디드언더필) 소재를 틈에 안정적으로 주입하기 힘들어진다. MUF는 D램의 보호재·절연체 등의 역할을 담당하는 소재로, 고르게 도포되지 않고 공백(Void)가 생기면 칩의 불량을 야기할 수 있다. SK하이닉스는 이를 해결할 수 있는 새로운 패키징 기술을 고안해냈다. 구체적인 사안은 밝혀지지 않았으나, 대대적인 공정 및 설비 변화 없이 D램 간격을 안정적인 수율로 줄일 수 있는 것이 주 골자다. 최근 진행된 내부 테스트 결과 역시 긍정적인 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 기존 HBM의 한계를 극복하기 위한 새로운 패키징 공법을 고안해, 현재 검증 작업을 활발히 거치고 있다"며 "대규모 설비투자 없이 HBM 성능을 개선할 수 있기 때문에 상용화 시에는 파급 효과가 적지 않을 것"이라고 설명했다. https://zdnet.co.kr/view/?no=20260226114104
게시됨 3월 3일
[속보] 급락장에 코스피 매도 사이드카 발동 | 연합뉴스 https://www.yna.co.kr/view/AKR20260303091600008
게시됨 3월 3일
[속보] 급락장에 코스피 매도 사이드카 발동 | 연합뉴스 https://www.yna.co.kr/view/AKR20260303091600008
게시됨 3월 3일
* 모건스탠리의 어제자 엔비디아 탑픽 보고서 중 메모리 관련 내용 발췌 : Morgan Stanley in Nvidia note: "We are seeing hyperscalers place 3 year orders on memory suppliers, in some cases with full prepayment - literally receiving 100% of 2028 revenue this quarter, with volumes at multiples…
게시됨 3월 3일
* 모건스탠리의 어제자 엔비디아 탑픽 보고서 중 메모리 관련 내용 발췌 : Morgan Stanley in Nvidia note: "We are seeing hyperscalers place 3 year orders on memory suppliers, in some cases with full prepayment - literally receiving 100% of 2028 revenue this quarter, with volumes at multiples of current levels. Are they doing that with the intent of slowing spending next year? That's just one of dozens of indications that spending will continue to increase for multiple years." "하이퍼스케일 기업들이 메모리 공급업체에 3년 치 주문을 하고 있으며, 일부 기업은 전액 선불까지 하고 있다. 말 그대로 이번 분기에 2028년 매출의 100%를 선지급받고 있는데, 주문량은 현재 수준의 몇 배에 달한다. 이들이 내년 지출을 늦추려는 의도로 이런 행동을 하는 것일까? 이는 향후 몇 년 동안 지출이 계속 증가할 것이라는 수많은 징후 중 하나일 뿐이다."
게시됨 3월 3일
CY26 메모리 제조사 및 장비사 공통 투자 기조 투자 우선순위: HBM 및 선단 DRAM과 패키징 집중 * HBM(HBM3E→HBM4) 및 서버용 선단 DRAM(1b/1c, 1-γ) 중심 CapEx 및 클린룸 무게중심 형성 * HBM DRAM, 선단 로직, Advanced Packaging 기반 성장축 지속 확인 * HBM 적층 및 선단 노드 전환에 따른 wafer starts 및 공정 난이도 상승 기반 장비 콘텐츠 확대 구조 공유 * CY26 투자의 HBM 중심 DRAM 밸류체인 쏠림 현상 심화 공통 전제: 수요 강세 대비 집행 속도 페이싱 관리 * CapEx 확대 대비 출하 및 비트 성장 과잉 증설 지양 기반 공급 discipline 유지 * 수요 대비 클린룸, 팹 준비, 공급망, 인력 등 상단 제한 요인 작용 * CY26 실적 2H-weighted 및 분기별 출하와 Rev 변동성 가능성 존재 * 수요 부족이 아닌 설치 및 인도 시점 조율 기반 페이싱 관리 프레임 작동 NAND 전략: 증설 대비 전환 및 믹스업 중심의 후순위 배치 * NAND 신규 웨이퍼 증설 대비 고단(레이어) 전환 및 eSSD 믹스 개선 주력 * HBM 및 선단 DRAM 대비 낮은 우선순위 및 그린필드 투자 CY27~28년 이후 지연 가능성 * AI inference(컨텍스트/KV 캐시/엔터프라이즈 SSD) 기반 NAND 수요 신규 논리 확보 * NAND의 후행 회복 및 AI inference 옵션 역할 수행 계약 및 가시성: LTA 장기화 및 선제 물량 확보 * HBM sold-out, 조기 물량 확정, LTA 장기화 기반 가시성 확보 * ASML 등 장비사 backlog 지속 및 고객 fab readiness 기반 출하 타이밍 조정 * 수요 불확실성 대비 공급 및 수용 타이밍 이슈로의 전이 * 자금 유입 가시성 확대 대비 설치 및 인도 시점 핵심화 결론 * CY26 투자 기조는 제조사 및 장비사 공통 HBM/선단 DRAM 및 패키징 최우선, NAND 전환 및 믹스업 중심 후순위, 강한 수요 대비 클린룸/공급망/팹 준비에 따른 집행 하반기 가중 및 페이싱 관리로 귀결
게시됨 3월 3일
4대 장비사 분기별 톤 및 수요 분석 * CY26 수요 과잉 상태 대비 집행 속도 제약(클린룸, 공급망, 인력, 고객 Fab readiness) 직면 * 수요 부족이 아닌 투자 페이싱 이슈 * Lam, TEL, AMAT 클린룸 공간 제약 반복 언급 * ASML 고객 Fab 준비 및 수용 속도, 분기별 move rate 변수 지목 * 전반적 CY26 실적 2H-weighted 기조 형성 메모리 부문 * ASML: DRAM(HBM, 1B/1C) 중심 EUV layer 채택 확대 및 멀티패터닝 DUV 대비 싱글 EUV 전환 가속 * LRCX: 메모리 내 우선순위 DRAM(HBM 포함) > NAND 명시 및 HBM3E에서 HBM4 전환, 1B/1C 노드 전환에 따른 장비 콘텐츠 증가 * AMAT: HBM의 bit당 wafer starts 표준 DRAM 대비 3~4배 수준 공격적 제시 기반 장비 수요 구조적 강화 * TEL: DRAM CY26 YoY 20% 이상 성장 및 sharp increase 전망 * NAND: CY26 MSD 성장(AMAT) 또는 Flat에서 소폭 증가(TEL) 수준으로 WFE 내 비중 LTD 미만 소외 및 업그레이드 중심 후행 투자 비메모리 부문 * ASML: AI 가속기 4nm에서 3nm 이동에 따른 litho intensity 상승 및 2nm/A14 EUV layer 지속 확대 * LRCX: Foundry 비중 급증 및 GAA 전환, 식각 난이도 증가 기반 선단 로직 강세 지속 * AMAT: Leading-edge logic + GAA + Wiring/Backside Power 최우선 성장축 선언 * TEL: 4Q Logic/Foundry 출하 QoQ 30% 이상 성장 및 2nm/1.4nm scaling 기반 WFE 견인 * High-NA EUV 본격 발주 시점은 CY27 H2 무게중심 이동 CY26 반도체 장비 시장 결론 * HBM/선단 DRAM: 장비 사이클 1번 엔진 역할 및 리소/식각/증착/패키징 전 영역 공통 수혜 * NAND: 업그레이드 중심 후행 성장 및 클린룸 제약에 따른 투자 순위 밀림 * 비메모리: 선단 로직/파운드리 강세 지속 및 페이싱 이슈 기반 하반기 가중
게시됨 3월 2일
게시됨 2월 28일
3월 2일 휴장 나이스
게시됨 2월 28일
⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ ⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ ⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 하메네이, 역사상 가장 사악한 인물 중 한 명이 사망했다. 이는 이란 국민을 위한 정의일 뿐만 아니라, 하메네이와 그의 피에 굶주린 폭력배 집단에 의해 살해되거나 불구가 된 모든 위대한 미국인들과 전 세계 여러 국가의 국민들을 위한 정의이기도 하다. 그는 우리의 정보 역량과 고도로 정교한 추적 시스템을 피할 수 없었다. 이스라엘과 긴밀히 공조한 결과, 그와 함께 사망한 다른 지도자들 역시 어떠한 대응도 할 수 없었다. 지금이야말로 이란 국민이 조국을 되찾을 수 있는 단 한 번의 최대 기회다. 우리는 IRGC, 군, 기타 안보 및 경찰 조직 다수가 더 이상 싸우기를 원하지 않으며, 우리로부터 면책을 요구하고 있다는 소식을 듣고 있다. 내가 어젯밤 말했듯이, “지금은 면책을 받을 수 있지만, 나중에는 죽음뿐이다.” IRGC와 경찰이 평화적으로 이란의 애국 세력과 통합하여 하나의 단위로 협력하고, 이 나라를 마땅히 누려야 할 위대함으로 되돌리기를 바란다. 그 과정은 곧 시작되어야 한다. 하메네이의 사망뿐만 아니라, 단 하루 만에 이 나라는 심각하게 파괴되었고, 심지어 초토화되었다. 그러나 우리의 중화기 및 정밀 폭격은 이번 주 내내, 또는 우리의 목표인 중동 전역, 나아가 전 세계의 평화를 달성할 때까지 중단 없이 계속될 것이다. 이 사안에 관심을 가져주어 감사하다. 도널드 J. 트럼프 대통령
게시됨 2월 28일
https://m.blog.naver.com/dlaldhr0821/224199252086